中国共产党的优秀党员大御优配，著名物理学家，中国科学院院士，复旦大学物理学系教授、博士生导师王迅同志，因病医治无效，于2025年12月5日6:22在上海新华医院逝世，享年91岁。
王迅，男，汉族，1934年4月出生于上海大御优配，1956年7月加入中国共产党。1952年进入复旦大学物理学系就读，1956年本科毕业后，师从谢希德先生，于1960年以复旦大学物理学系副博士身份毕业，同年留校任教；1978年获聘复旦大学副教授、1984年获聘教授、1985年任博士研究生导师、1996年担任复旦大学首席教授，1999年当选中国科学院院士。
王迅院士历任复旦大学半导体物理教研室副主任，微电子教研室副主任，表面物理研究室副主任、主任，应用表面物理国家重点实验室主任、学术委员会主任，复旦大学学术委员会副主任，复旦大学研究生教育指导委员会主任等职。曾担任国际纯粹与应用物理联合会（IUPAP）半导体委员会委员（1993—1999年）、国际学术刊物《Surface Science》顾问编委。多次担任国际半导体物理会议、国际硅分子束外延会议、国际表面结构会议、国际固体薄膜与表面会议等国际学术会议程序委员会、顾问委员会、组织委员会委员或分会主席。曾任中国物理学会理事（1996—1999年），上海市物理学会理事长（1996—2000年），中国物理学会半导体专业委员会副主任，中国科学院超晶格与微结构国家重点实验室、中国科学院表面物理国家重点实验室、中国科学院信息功能材料国家重点实验室、北京正负电子对撞机国家实验室和合肥国家同步辐射实验室的学术委员会委员，并担任《半导体学报》副主编，《物理》《真空科学与技术学报》《发光学报》《复旦学报（自然科学版）》等刊物编委。曾获1987年复旦大学先进工作者、1996年光华科技基金二等奖、1997年中国物理学会第五届叶企孙物理奖和1998年何梁何利科学技术进步奖。
王迅院士学术造诣深厚。他长期从事半导体物理学和表面物理学的研究工作，在半导体表面与界面的结构和电子态研究、多孔硅发光特性和机理研究、硅基低维量子体系的材料制备以及物理特性和新型器件研究等领域做出了许多创新性成果，在材料、物理和器件方面作出了重要贡献。他在国际上首次提出了两种InP表面的新结构模型，首次在国际上实现多孔硅的蓝光发射，是我国硅锗超晶格和量子点研究的首创者之一。他在国内外学术刊物上发表论文300余篇，其中在SCI刊物上发表170余篇。科研成果荣获国家自然科学奖二等奖，4个项目获国家教委科技进步二等奖，3个项目获国家教委科技进步三等奖。
王迅院士潜心教书育人。他始终坚守在教学一线，曾主讲《热力学与统计物理》《大学物理（电磁学）》《固体物理》《电子线路》《半导体物理》《晶体管原理》和《MOS 集成电路》等众多课程。2002年以后，已近古稀之年的王迅院士主动请缨，主讲《大学物理（力学、电磁学、光学）》和《固体物理》。他积极推动教学方式改革，用英语主讲或合作讲授研究生课程《表面物理与表面分析》。他有力推动博士生招生制度改革，为创新人才选拔作出突出贡献，先后培养研究生约60人，很多学生已成为相关领域的领军人才。
王迅院士矢志科研报国。1979年开始，他协助谢希德先生历时十余年建立复旦大学表面物理研究室大御优配，在我国开创了“表面物理学”这一新兴学科，并担任应用表面物理国家重点实验室首任主任，将实验室建设成为表面物理学研究领域具有重要国际影响力的人才培养中心和基地。
天载配资提示：文章来自网络，不代表本站观点。
